Ciorcad Comhtháite Bunaidh Nua BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip
BSZ040N06LS5
Tá leibhéal loighic MOSFET cumhachta Infineon OptiMOS™ 5 thar a bheith oiriúnach d’fheidhmchláir mhuirearaithe, oiriúntóra agus teileachumarsáide gan sreang.Laghdaíonn muirear geata íseal na bhfeistí (Q g) caillteanais aistrithe gan cur isteach ar chaillteanais seolta.Ligeann na figiúirí fiúntais feabhsaithe oibríochtaí ar ardmhinicíochtaí aistrithe.Ina theannta sin, cuireann an tiomáint leibhéal loighciúil trí gheata íseal ar fáilvoltas coinneála (V GS(th)) a ligeann do na MOSFETanna a thiomáint ag 5V agus go díreach ó mhicrrialaitheoirí.
Achoimre ar Ghnéithe
Íseal R DS(ar) i bpacáiste beag
Muirear geata íseal
Muirear aschuir níos ísle
Comhoiriúnacht leibhéal loighic
Sochair
Dearaí dlús cumhachta níos airde
Minicíocht aistrithe níos airde
Comhaireamh páirteanna laghdaithe cibé áit a bhfuil soláthairtí 5V ar fáil
Tiomáinte go díreach ó mhicririalaitheoirí (athrú mall)
Laghdú ar chostais chórais
Parametrics
| Parametrics | BSZ040N06LS5 |
| Praghas Buiséadach €/1k | 0. 56 |
| Ciss | 2400 PF |
| Cos | 500 pF |
| ID (@25°C) uas | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Gléasta | LFC |
| Teocht Oibriúcháin íosmhéid uas | -55 °C 150 °C |
| Uasmhéid | 69 W |
| Pacáiste | PQFN 3.3 x 3.3 |
| Comhaireamh Bioráin | 8 Bioráin |
| Polainnis | N |
| QG (chlóscríobh @4.5V) | 18 nc |
| Qgd | 5.3 nC |
| RDS (ar) (@4.5V LL) max | 5.6 mΩ |
| RDS (ar) (@4.5V) max | 5.6 mΩ |
| RDS (ar) (@10V) max | 4 mΩ |
| Rth max | 1.8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1.8 K/W |
| VDS max | 60 V |
| VGS(ú) íosmhéid | 1.7 V 1.1 V 2.3 V |
